Vaš profesionalni dobavitelj keramičnih strojev za lasersko rezanje iz silicijevega karbida (SiC)!

 

 

YCLaser razvija in izdeluje stroje za lasersko obdelavo keramike iz silicijevega karbida (SiC), ki zajema natančno rezanje, konturno rezanje, vrtanje, rezanje, rezanje, obrezovanje in druge postopke obdelave po meri.

 

Silicon carbide

SIC ceramic laser cutting machine

 

Rešitve za lasersko rezanje iz silicijevega karbida
  • Material:Silicijev karbid (SiC)
  • Obdelava:Rezanje · Vrtanje · Rezanje · Rezanje utorov · Obrezovanje · Mikroobdelava
  • Možnosti laserja:355 nm UV · 1060–1080 nm vlakno QCW · UV pikosekunda
  • Tipična debelina QCW:Približno . 0.3–6 mm
  • Vrsta stroja:Prilagojen sistem industrijske laserske obdelave

*Dejanska zmogljivost obdelave je odvisna od sestave SiC, gostote, debeline, geometrije, premera luknje, zahtev glede kakovosti robov-in drugih pogojev postopka.

 

Zakaj izbrati WHYC laser za obdelavo SiC?
 

Več SiC laserskih rešitev

WHYC Laser zagotavlja UV nanosekundne, QCW fiber nanosekundne in UV pikosekundne laserske konfiguracije za različne zahteve obdelave SiC.

Material-Razvoj posebnih postopkov

Laserske parametre razvijamo glede na dejanski material SiC, namesto da bi se zanašali samo na nominalno moč ali debelino laserja.

Prilagojena konfiguracija stroja

Delovno območje, moč laserja, optični sistem, platformo za gibanje, pozicioniranje vida, avtomatizacijo in pomožne sisteme je mogoče konfigurirati glede na aplikacijo.

Napredna izkušnja obdelave keramike

Naši laserski sistemi so zasnovani za-materiale,-ki jih je težko obdelati, vključno s SiC, Si₃N₄, AlN, Al₂O₃, ZrO₂ in drugo napredno keramiko.

Testiranje vzorcev pred naložbo v opremo

Stranke lahko zagotovijo vzorce in risbe za oceno procesa, preden izberejo končno konfiguracijo stroja.

Integrirana podpora za opremo

Od izbire laserskega-vira in razvoja procesa do izdelave strojev, testiranja, namestitve in tehnične podpore nudimo integrirano lasersko{1}}obdelovalno rešitev.

 

Zmogljivosti SiC laserske obdelave

 

 

Proces

Tipična uporaba

Natančno rezanje

Tanke SiC keramične komponente

Rezanje profila

Kompleksne konture SiC

Pisanje

Ločevanje keramike in površinska obdelava

Rezanje

Ozke in funkcionalne reže

Veliko{0}}vrtanje lukenj

Strukturne in funkcionalne odprtine

Mikro-vrtanje lukenj

Fine luknje in nizi lukenj

Obrezovanje

Zaključna obdelava robov in profilov

Rezanje prstanov

Krožne SiC komponente

Serijsko praznjenje

Visok{0}}učinkovita proizvodnja

Obdelava vzorcev

Fine keramične strukture

 

Tipične konfiguracije stroja za lasersko rezanje SiC

 

 

UV laserski sistem za obdelavo

Postavka

Specifikacija

Oprema

UV laserski sistem za obdelavo

Aplikacija

SiC keramično lasersko rezanje in mikroobdelava

Laserska valovna dolžina

355nm

Vrsta laserja

UV nanosekundni laser

Laserska moč

20W

Laserska frekvenca

50–200 kHz

Največja površina obdelave

300 × 300 mm*

Eno polje skeniranja

50 × 50 mm

Z-Axis Travel

50 mm

Minimalno fokusirano mesto

20μm

Najmanjša širina črte za graviranje

15μm

Natančnost pozicioniranja delovne mize

±3μm

Ponovljivost delovne mize

±2μm

Natančnost pozicioniranja CCD Vision

±3μm

Največja hitrost skeniranja

7000 mm/s

Sesalni sistem

Pretok zraka ventilatorja 100m³/h

Temperaturno območje hladilnika

18-24 stopinj

Natančnost temperature hladilnika

Manjši ali enak 0,2 stopinji

Napajanje

220V, 50Hz

Skupna poraba energije

5kW

Dimenzije stroja

1500 × 1400 × 1800 mm

Pribl. Teža stroja

1500 kg

Programska oprema

Galvanometer + koordinirano krmiljenje platforme gibanja

Podpora za datoteke CAD

Standardni DXF

Podpora za velike risbe

1 GB+

Izbirni laser

UV pikosekundni laser

*Obdelovalno območje 300 × 300 mm je doseženo z usklajenim skeniranjem galvanometra in premikanjem-platforme. Enotno polje galvanometra je 50 × 50 mm.

 

QCW laserski sistem za rezanje

Postavka

Tipična specifikacija

Parameter

Priporočeno območje

Laserska valovna dolžina

1060-1080 nm

Izhodna moč laserja

150W-1000W

Največji obseg rezanja

Manjše ali enako 300*400 mm

Debelina reza

0,2-10 mm

Material

Keramika iz silicijevega karbida (SiC).

Vrsta laserja

Nanosekundni laser z vlakni QCW

Tipična debelina

0,3–6 mm

Glavna obdelava

Rezanje, vrtanje, rezanje, obrezovanje

Obdelava-velikih lukenj

Primerno

Natančnost ponovnega pozicioniranja osi X/Y

±5um

Hitrost obdelave

0-2000 mm/min

Največja hitrost na razdalji

50m/min

Natančnost obdelave

±0,01-0,02 mm

Natančnost delovne mize

Manjši ali enak 0,015 mm

Način prenosa

Uvožen linearni motor +0.5um mrežno ravnilo

Celotna moč stroja (brez ventilatorja)

Manjši ali enak 5KW

Skupna teža celotnega stroja

(približno) 1200 kg

Zunanja dimenzija (dolžina*širina*višina)

1150*1500*1850 mm

Obdelava mikro{0}}luknjic

Ni primarna aplikacija

Tipična uporaba

Strukturne in funkcionalne komponente SiC

Način obdelave

CNC laserska obdelava

Prilagajanje

Na voljo v skladu z zahtevami obdelovanca in procesa

*Dejanska zmogljivost debeline je odvisna od sestave SiC, gostote, geometrije, poti rezanja in zahtevane kakovosti robov.

 

Uporaba laserske obdelave s silicijevim karbidom

 

Oprema za proizvodnjo polprevodnikov

Keramika SiC se pogosto uporablja v opremi za proizvodnjo polprevodnikov zaradi svoje toplotne stabilnosti, kemične odpornosti in dimenzijske stabilnosti.

01

močnostna elektronika

Keramične komponente SiC je mogoče uporabiti v zahtevni energetski-elektroniki in aplikacijah pri visokih-temperaturah.

02

Fotovoltaična oprema

Komponente SiC se uporabljajo v visoko{0}}temperaturni fotonapetostni proizvodni opremi in sistemih peči.

03

Vesoljska in avtomobilska industrija

Ker je SiC odporen na visoke-temperature in{1}}obrabo, je primeren za izbrane letalske in avtomobilske komponente.

04

Industrijska keramika

SiC lasersko obdelavo je mogoče uporabiti tudi za industrijske komponente, ki zahtevajo visoko trdoto, toplotno odpornost in odpornost proti obrabi.

05

 

Tipični vzorci SiC laserske obdelave
 
Silicon carbide drilling sample
 

Vzorec vrtanja iz silicijevega karbida

Natančen niz mikro{0}}lukenj z natančnim pozicioniranjem in enotno geometrijo lukenj.

 

Reakcijsko-vezan vzorec silicijevega karbida

Natančno rezanje reakcijsko{0}}vezanega SiC za kompleksne strukturne komponente.

Reaction-bonded silicon carbide sample
Silicon carbide tube drilling sample
 

Vzorec cevi iz silicijevega karbida

Natančno vrtanje v stransko steno s čistimi, dobro{0}}opredeljenimi luknjami.

 

Rezalni vzorec silicijevega karbida

Natančno konturno rezanje z doslednim zarezom in čistimi robovi.

Silicon carbide cutting sample

 

Preizkusite svoj SiC, preden investirate

 

 

Niste prepričani, ali vaša aplikacija SiC zahteva UV, QCW ali pikosekundno lasersko obdelavo?

Pošljite nam vaše povpraševanje!

  • Material:Razred SiC ali specifikacija materiala
  • Debelina:Debelina keramike
  • Velikost dela:Največje dimenzije obdelovanca
  • Risba:DXF, DWG, PDF ali drug razpoložljiv format
  • Premer luknje:Če je potrebno vrtanje
  • Obdelava:Rezanje / vrtanje / rezanje / rezanje / obrezovanje
  • Kakovost:Dimenzijska toleranca in zahteve za-kakovost robov
  • produkcija:Pričakovani obseg proizvodnje

Naši inženirji bodo te informacije uporabili za priporočilo ustreznega laserskega vira, optičnega sistema, platforme gibanja in strategije obdelave.

Pošljite svoj vzorec SiC za testiranje →

purchasing process

 

pogosta vprašanja

 

 

V: Kateri laser je najboljši za rezanje silicijevega karbida?

O: Ni posameznega laserja, ki bi bil najboljši za vsako aplikacijo SiC. 355Nm UV-laserji so na splošno bolj primerni za tanek SiC, fine strukture in mikro-luknje, medtem ko so laserji z vlakni QCW bolj primerni za debelejši SiC, večje konture, večje luknje in visoko-učinkovito obdelavo. UV pikosekundni laserji se lahko upoštevajo pri aplikacijah, ki zahtevajo natančnejše lastnosti ali manjši toplotni vpliv.

V: Ali lahko laser reže debel SiC?

O: Da. Optične laserske sisteme QCW je mogoče konfigurirati za rezanje debelejše SiC keramike. Reprezentativni sistem WHYC Laser QCW ima tipično območje obdelave približno 0,3–6 mm. Teoretična meja je 10 mm, kar ni priporočljivo kot standard množične proizvodnje.

V: Ali lahko lasersko vrtate SiC?

O: Da. SiC je mogoče lasersko izvrtati za luknje za pritrditev, luknje za pozicioniranje, velike funkcionalne odprtine, mikro-luknje in nize lukenj. Ustrezen laser je močno odvisen od zahtevanega premera luknje, debeline materiala, razmerja stranic in kakovosti izvrtine.

V: Ali lahko laser QCW vrta mikro{0}}luknje v SiC?

O: Laserski sistemi QCW so namenjeni predvsem večjim luknjam in strukturnim odprtinam, ne pa natančnim mikro{0}}luknjam. Za zelo majhne luknje in nize finih lukenj je na splošno bolj primeren 355 nm UV laser ali UV pikosekundni laser.

V: Ali je UV laser boljši od QCW za SiC?

O: Odvisno od aplikacije. UV je na splošno prednosten za tanek SiC, fine strukture, mikro-luknje, ozke reže in natančno obdelavo. QCW je na splošno prednostna za debelejši SiC, velike konture, velike luknje in visoko-zmogljivo proizvodnjo.

V: Ali lahko stroj obdeluje zapletene konture SiC?

O: Da. CNC-nadzorovana laserska obdelava lahko sledi prilagojenim geometrijam CAD in izdeluje kompleksne konture, reže, obroče, odprtine in nepravilne profile brez namenskih mehanskih rezalnih matric.

V: Ali lahko preizkusite naš vzorec SiC pred nakupom opreme?

O: Da. Testiranje vzorcev je priporočljivo, ker lahko sestava, gostota, debelina, geometrija in zahteve glede kakovosti SiC pomembno vplivajo na rezultate obdelave. Stranke lahko predložijo vzorce, risbe in tehnične zahteve za oceno.

V: Ali je mogoče stroj za lasersko rezanje SiC prilagoditi?

O: Da. Moč laserja, delovno območje, optični sistem, platformo za gibanje, pozicioniranje vida, avtomatizacijo in funkcije obdelave je mogoče prilagoditi glede na aplikacijo.

 

Smo eden najbolj profesionalnih proizvajalcev in dobaviteljev strojev za lasersko rezanje na Kitajskem, podpiramo tudi storitve po meri. Tukaj lahko kupite industrijski stroj za lasersko rezanje in pridobite ponudbo iz naše tovarne. Za posvet o ceni nas kontaktirajte.

Pošlji povpraševanje